Study on photoelectricity properties of SiCN thin films prepared by magnetron sputtering
影响因子:6.4
DOI码:10.1016/j.jmrt.2021.08.043
所属单位:西北大学;荷语布鲁塞尔自由大学(VUB);欧洲微电子中心(IMEC)
发表刊物:Journal of Materials Research and Technology
刊物所在地:荷兰
关键字:SiCN;Thin films;Photoelectric properties;Magnetron sputtering
备注:共同第一作者,SCI检索,中科院一区,TOP期刊。
论文类型:期刊论文
论文编号:10.1016/j.jmrt.2021.08.043
学科门类:工学
一级学科:电子科学与技术
文献类型:J
卷号:15
页面范围:460-467
字数:6999
是否译文:否
发表时间:2021-12-01
收录刊物:SCI
发布期刊链接:https://doi.org/10.1016/j.jmrt.2021.08.043
第一作者:Qiang Li
第一作者:Cheng Chen
通讯作者:Wu Zhao
合写作者:Mingge Wang
合写作者:Yaohui Lv
合写作者:Yulu Mao
合写作者:Manzhang Xu
合写作者:Yingnan Wang
合写作者:Xuewen Wang
合写作者:Zhiyong Zhang
合写作者:Shouguo Wang
合写作者:Johan Stiens