专利

激光再晶化GeNMOS器件及其制备方法

点击次数:

所属单位:信息科学与技术学院(软件学院)

专利范围:国内

学校署名:第一单位

备注:专利已申请。

专利类型:发明专利

申请号:CN201610718385.4

是否职务专利:

申请日期:2016-08-25

第一作者:汪霖