Electronic and magnetic properties of Re-doped single-layer MoS2: A DFT study
点击次数：
影响因子：0.0
所属单位：现代物理研究所
发表刊物：COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE
刊物所在地：国外学术期刊
论文类型：期刊论文
论文编号：5b75928c5fd903d1015fdd84cf7217c6
页面范围：卷: 128 页: 287-293
ISSN号：0927-0256
是否译文：否
发表时间：2017-02-15
第一作者：郑继明