张耀红

教授

 硕士生导师
学位:工学博士学位
性别:男
毕业院校:The University of Electro-Communications, Japan
学历:博士研究生毕业
在职信息:在职
所在单位:物理学院

专利

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一种低温一步合成AgBiS2纳米晶的方法

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学校署名:西北大学
专利类型:发明
专利状态:授权专利
授权号:CN 115893488 B
发明人数:4
是否职务专利:
发明设计人:张耀红
发明设计人:李俏
发明设计人:沈晓玉
发明设计人:丁帅